APT5020SVRG
Solo per riferimento
Numero parte | APT5020SVRG |
PNEDA Part # | APT5020SVRG |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 26A D3PAK |
Produttore | Microsemi |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.156 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida) |
Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
APT5020SVRG Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | APT5020SVRG |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- APT5020SVRG Datasheet
- where to find APT5020SVRG
- Microsemi
- Microsemi APT5020SVRG
- APT5020SVRG PDF Datasheet
- APT5020SVRG Stock
- APT5020SVRG Pinout
- Datasheet APT5020SVRG
- APT5020SVRG Supplier
- Microsemi Distributor
- APT5020SVRG Price
- APT5020SVRG Distributor
APT5020SVRG Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | POWER MOS V® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 225nC @ 10V |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4440pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
Temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D3 [S] |
Pacchetto / Custodia | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
I prodotti a cui potresti essere interessato
Infineon Technologies Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 165A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 108µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6370pF @ 40V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 167W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PG-HSOF-8-1 Pacchetto / Custodia 8-PowerSFN |
Sanken Produttore Sanken Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.3mOhm @ 19.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.7nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1510pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 32W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220F Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
Vishay Siliconix Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 60W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Infineon Technologies Produttore Infineon Technologies Serie CoolMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 550V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 2.3A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.7nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 433pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 57W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252 Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Toshiba Semiconductor and Storage Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.1mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 10V Funzione FET Schottky Diode (Body) Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP (5.5x6.0) Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |