APT45GR65SSCD10
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| Numero parte | APT45GR65SSCD10 |
| PNEDA Part # | APT45GR65SSCD10 |
| Descrizione | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.424 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 10 - apr 15 (Scegli Spedizione rapida) |
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APT45GR65SSCD10 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT45GR65SSCD10 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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APT45GR65SSCD10 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | NPT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 118A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 224A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| Potenza - Max | 543W |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 203nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 15ns/100ns |
| Condizione di test | 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 80ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D3Pak |
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