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APT40GP90JDQ2

APT40GP90JDQ2

Solo per riferimento

Numero parte APT40GP90JDQ2
PNEDA Part # APT40GP90JDQ2
Descrizione IGBT 900V 64A 284W SOT227
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.726
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT40GP90JDQ2 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT40GP90JDQ2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APT40GP90JDQ2 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 7®
Tipo IGBTPT
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)900V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)64A
Potenza - Max284W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 40A
Corrente - Taglio collettore (Max)350µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce3.3nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaISOTOP
Pacchetto dispositivo fornitoreISOTOP®

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

APTGT30DDA60T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Dual Boost Chopper

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Potenza - Max

90W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

VS-GT300FD060N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Level Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

379A

Potenza - Max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

23.3nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Dual INT-A-PAK (4 + 8)

Pacchetto dispositivo fornitore

Dual INT-A-PAK

FF1000R17IE4DB2S4BOSA2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

PrimePACK™3

Tipo IGBT

-

Configurazione

2 Independent

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1390A

Potenza - Max

6250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 1000A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

81nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

AG-PRIME3-1

CM100BU-12H

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

8.8nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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