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APT200GN60JG

APT200GN60JG

Solo per riferimento

Numero parte APT200GN60JG
PNEDA Part # APT200GN60JG
Descrizione IGBT 600V 283A 682W SOT227
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.610
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata gen 9 - gen 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT200GN60JG Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT200GN60JG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APT200GN60JG Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)283A
Potenza - Max682W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 200A
Corrente - Taglio collettore (Max)25µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce14.1nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaISOTOP
Pacchetto dispositivo fornitoreISOTOP®

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Configurazione

Single Switch

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4930A

Potenza - Max

19000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 3600A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

225nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT300SK60D3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400A

Potenza - Max

940W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

18.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

D3

FF300R12KT3PEHOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

C

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300A

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FS150R06KE3BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Potenza - Max

430W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APT45GP120J

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

329W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 45A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.94nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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