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APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

Solo per riferimento

Numero parte APT150GN60LDQ4G
PNEDA Part # APT150GN60LDQ4G
Descrizione IGBT 600V 220A 536W TO-264L
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.784
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT150GN60LDQ4G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT150GN60LDQ4G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT150GN60LDQ4G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)220A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)450A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 150A
Potenza - Max536W
Switching Energy8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge970nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C44ns/430ns
Condizione di test400V, 150A, 1Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-264-3, TO-264AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-264 [L]

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Potenza - Max

320W

Switching Energy

2.1mJ (on), 1.3mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

200nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

75ns/315ns

Condizione di test

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

130ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

IXGT20N100

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

3.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

73nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/350ns

Condizione di test

800V, 20A, 47Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 30A

Potenza - Max

220W

Switching Energy

740µJ (on), 3mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

80nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/330ns

Condizione di test

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXGH)

IRGPC50U

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

55A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 27A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

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2.1V @ 15V, 110A

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255W

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Tipo di ingresso

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Gate Charge

132nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

44ns/245ns

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