APT12080JVR
Solo per riferimento
| Numero parte | APT12080JVR |
| PNEDA Part # | APT12080JVR |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.322 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | gen 6 - gen 11 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
APT12080JVR Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | APT12080JVR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- APT12080JVR Datasheet
- where to find APT12080JVR
- Microsemi
- Microsemi APT12080JVR
- APT12080JVR PDF Datasheet
- APT12080JVR Stock
- APT12080JVR Pinout
- Datasheet APT12080JVR
- APT12080JVR Supplier
- Microsemi Distributor
- APT12080JVR Price
- APT12080JVR Distributor
APT12080JVR Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS V® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 485nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7800pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 450W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
| Pacchetto / Custodia | SOT-227-4, miniBLOC |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore IXYS Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 96mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 540W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AA Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.9A (Ta), 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 12V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DPAK-3 Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 240A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10990pF @ 40V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 380W (Tc) Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK (7-Lead) Pacchetto / Custodia TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.4nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220 Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
