APT11N80BC3G
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| Numero parte | APT11N80BC3G |
| PNEDA Part # | APT11N80BC3G |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.208 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT11N80BC3G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT11N80BC3G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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APT11N80BC3G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 7.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1585pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 156W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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