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APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Solo per riferimento

Numero parte APT11GP60BDQBG
PNEDA Part # APT11GP60BDQBG
Descrizione IGBT 600V 41A 187W TO247
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.564
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT11GP60BDQBG Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT11GP60BDQBG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
APT11GP60BDQBG, APT11GP60BDQBG Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 212,91 KB)
PDFAPT11GP60BDQBG Datasheet Copertura
APT11GP60BDQBG Datasheet Pagina 2 APT11GP60BDQBG Datasheet Pagina 3 APT11GP60BDQBG Datasheet Pagina 4 APT11GP60BDQBG Datasheet Pagina 5 APT11GP60BDQBG Datasheet Pagina 6 APT11GP60BDQBG Datasheet Pagina 7

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APT11GP60BDQBG Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 7®
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)41A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 11A
Potenza - Max187W
Switching Energy46µJ (on), 90µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge40nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C7ns/29ns
Condizione di test400V, 11A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

8A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 2A

Potenza - Max

25W

Switching Energy

560µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

7.8nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

15ns/300ns

Condizione di test

800V, 2A, 150Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

AUIRG4BC30SSTRL

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

34A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

68A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

260µJ (on), 3.45mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

50nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/540ns

Condizione di test

480V, 18A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

RGTV00TK65DGC11

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

45A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Potenza - Max

94W

Switching Energy

1.17mJ (on), 940µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

104nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

41ns/142ns

Condizione di test

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

102ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3PFM, SC-93-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PFM

Produttore

IXYS

Serie

XPT™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

28A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.5V @ 15V, 12A

Potenza - Max

310W

Switching Energy

3.56mJ (on), 1.7mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

56nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/167ns

Condizione di test

1250V, 12A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

16ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

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-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

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