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APT102GA60L

APT102GA60L

Solo per riferimento

Numero parte APT102GA60L
PNEDA Part # APT102GA60L
Descrizione IGBT 600V 183A 780W TO264
Produttore Microsemi
Prezzo unitario
1 ---------- $47,6568
100 ---------- $45,4229
250 ---------- $43,1890
500 ---------- $40,9551
750 ---------- $39,0935
1.000 ---------- $37,2319
Disponibile 20
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Consegna stimata apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT102GA60L Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT102GA60L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT102GA60L Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)183A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)307A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 62A
Potenza - Max780W
Switching Energy1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge294nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C28ns/212ns
Condizione di test400V, 62A, 4.7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-264-3, TO-264AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-264 [L]

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Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

9A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Potenza - Max

25W

Switching Energy

55µJ (on), 85µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

19nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17ns/72ns

Condizione di test

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

22ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FP

Produttore

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Serie

GenX4™, XPT™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

310A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

860A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 160A

Potenza - Max

940W

Switching Energy

3.3mJ (on), 1.88mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

425nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

52ns/220ns

Condizione di test

400V, 80A, 1Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

IRG4BC20UDSTRLP

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

13A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

160µJ (on), 130µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

27nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

39ns/93ns

Condizione di test

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

37ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

11A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 7A

Potenza - Max

33W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

390V, 7A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

37ns

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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