APL602B2G
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| Numero parte | APL602B2G |
| PNEDA Part # | APL602B2G |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.358 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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APL602B2G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APL602B2G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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APL602B2G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 49A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 24.5A, 12V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9000pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 730W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 Variant |
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