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AOTF404

AOTF404

Solo per riferimento

Numero parte AOTF404
PNEDA Part # AOTF404
Descrizione MOSFET N-CH 105V 5.8A TO220FL
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.768
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AOTF404 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAOTF404
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
AOTF404, AOTF404 Datasheet (Totale pagine: 1, Dimensioni: 85,4 KB)
PDFAOTF404 Datasheet Copertura

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AOTF404 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)105V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.8A (Ta), 26A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46nC @ 10V
Vgs (massimo)±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2445pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.2W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220FL
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

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Produttore

Vishay Siliconix

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

152pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

CPH6443-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

35V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-CPH

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

AUIRFB4410

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 58A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5150pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

200W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

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Produttore

IXYS

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

53A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1040W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (massimo)

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Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

910mW (Ta), 19.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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