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AOTF20C60P_001

AOTF20C60P_001

Solo per riferimento

Numero parte AOTF20C60P_001
PNEDA Part # AOTF20C60P_001
Descrizione MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.442
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Consegna stimata dic 21 - dic 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AOTF20C60P_001 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAOTF20C60P_001
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
AOTF20C60P_001, AOTF20C60P_001 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 462,25 KB)
PDFAOTF20C60P_001 Datasheet Copertura
AOTF20C60P_001 Datasheet Pagina 2 AOTF20C60P_001 Datasheet Pagina 3 AOTF20C60P_001 Datasheet Pagina 4 AOTF20C60P_001 Datasheet Pagina 5 AOTF20C60P_001 Datasheet Pagina 6

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  • AOTF20C60P_001 Distributor

AOTF20C60P_001 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3607pF @ 100V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)50W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220F
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

400V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

490mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 210mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Pacchetto / Custodia

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Produttore

EPC

Serie

eGaN®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 15A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.6nC @ 5V

Vgs (massimo)

+6V, -4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

805pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

Pacchetto / Custodia

Die

DMJ7N70SK3-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

700V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.25Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.9nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

351pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

28W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AOY516

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaMOS

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

46A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1333pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

166A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7mOhm @ 68A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Vgs (massimo)

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Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

138W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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