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AOT266L

AOT266L

Solo per riferimento

Numero parte AOT266L
PNEDA Part # AOT266L
Descrizione MOSFET N-CH 60V 18A TO220
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 18.096
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AOT266L Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAOT266L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
AOT266L, AOT266L Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 405,07 KB)
PDFAOT266L Datasheet Copertura
AOT266L Datasheet Pagina 2 AOT266L Datasheet Pagina 3 AOT266L Datasheet Pagina 4 AOT266L Datasheet Pagina 5 AOT266L Datasheet Pagina 6 AOT266L Datasheet Pagina 7

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AOT266L Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C18A (Ta), 140A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5650pF @ 30V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.1W (Ta), 268W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220
Pacchetto / CustodiaTO-220-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

AOTF262L

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17.5A (Ta), 85A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

135nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8140pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

FDP8443

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta), 80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

185nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9310pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

188W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

SI7123DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.6mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3729pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8

SCT3017ALHRC11

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiCFET (Silicon Carbide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

118A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22.1mOhm @ 47A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.6V @ 23.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

172nC @ 18V

Vgs (massimo)

+22V, -4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2884pF @ 500V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

427W

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247N

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

BSS123TC

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

170mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

360mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Venduto di recente

ES1JFL

ES1JFL

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F

HSMS-2820-TR1G

HSMS-2820-TR1G

Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT23-3

MIC5235-3.3YM5-TR

MIC5235-3.3YM5-TR

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5

STPS15H100CB-TR

STPS15H100CB-TR

STMicroelectronics

DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK

SML-LX0603GW-TR

SML-LX0603GW-TR

Lumex Opto/Components Inc.

LED GREEN DIFFUSED SMD

M29W640FB70N6E

M29W640FB70N6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

T521X336M050ATE075

T521X336M050ATE075

KEMET

CAP TANTALUM 33UF 50V 2917

4TPE100MZB

4TPE100MZB

Panasonic Electronic Components

CAP TANT POLY 100UF 4V 1411

MIC4420YN

MIC4420YN

Microchip Technology

IC DRIVER MOSFET 6A LO SIDE 8DIP

403C35E12M00000

403C35E12M00000

CTS Frequency Controls

CRYSTAL 12.0000MHZ 20PF SMD

PIC18F2455-I/SO

PIC18F2455-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 24KB FLASH 28SOIC

LTC3854EMSE#PBF

LTC3854EMSE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 12MSOP