Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

AON6405L_102

AON6405L_102

Solo per riferimento

Numero parte AON6405L_102
PNEDA Part # AON6405L_102
Descrizione MOSFET P-CH 30V 8DFN
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.244
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AON6405L_102 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAON6405L_102
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • AON6405L_102 Datasheet
  • where to find AON6405L_102
  • Alpha & Omega Semiconductor

  • Alpha & Omega Semiconductor AON6405L_102
  • AON6405L_102 PDF Datasheet
  • AON6405L_102 Stock

  • AON6405L_102 Pinout
  • Datasheet AON6405L_102
  • AON6405L_102 Supplier

  • Alpha & Omega Semiconductor Distributor
  • AON6405L_102 Price
  • AON6405L_102 Distributor

AON6405L_102 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15A (Ta), 30A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs105nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5500pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-DFN-EP (5x6)
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN

I prodotti a cui potresti essere interessato

IPB80P03P4L04ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.1mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 253µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (massimo)

+5V, -16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11300pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

137W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3-2

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STFI4N62K3

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH3™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

620V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

25W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I2PAKFP (TO-281)

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

IPP80N06S2H5AKSA2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 230µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

155nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IXFH30N60Q

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4700pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXFH)

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

IRFR220NTR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

43W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Venduto di recente

TLJT107M010R0900

TLJT107M010R0900

CAP TANT 100UF 20% 10V 1411

M29W640FB70N6E

M29W640FB70N6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

MAX8556ETE+

MAX8556ETE+

Maxim Integrated

IC REG LINEAR POS ADJ 4A 16TQFN

CD40106BCN

CD40106BCN

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14DIP

1N6283A

1N6283A

ON Semiconductor

TVS DIODE 28.2V 45.7V AXIAL

ACS712ELCTR-20A-T

ACS712ELCTR-20A-T

Allegro MicroSystems, LLC

SENSOR CURRENT HALL 20A AC/DC

IRG4BC20KDSTRRP

IRG4BC20KDSTRRP

Infineon Technologies

IGBT 600V 16A 60W D2PAK

AT25DF321-SU

AT25DF321-SU

Adesto Technologies

IC FLASH 32M SPI 70MHZ 8SOIC

OKL-T/6-W12P-C

OKL-T/6-W12P-C

Murata Power Solutions

DC DC CONVERTER 0.591-5.5V 30W

PIC17C756A-33/L

PIC17C756A-33/L

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB OTP 68PLCC

NDT454P

NDT454P

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223

NR6045T100M

NR6045T100M

Taiyo Yuden

FIXED IND 10UH 2.5A 61.1 MOHM