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AON3611

AON3611

Solo per riferimento

Numero parte AON3611
PNEDA Part # AON3611
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $2,4763
250 ---------- $2,3602
500 ---------- $2,2441
1.000 ---------- $2,1281
2.500 ---------- $2,0313
5.000 ---------- $1,9346
Disponibile 59.104
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 29 - dic 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AON3611 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAON3611
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
AON3611, AON3611 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 446,09 KB)
PDFAON3611 Datasheet Copertura
AON3611 Datasheet Pagina 2 AON3611 Datasheet Pagina 3 AON3611 Datasheet Pagina 4 AON3611 Datasheet Pagina 5 AON3611 Datasheet Pagina 6 AON3611 Datasheet Pagina 7 AON3611 Datasheet Pagina 8 AON3611 Datasheet Pagina 9

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AON3611 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETN and P-Channel, Common Drain
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A, 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds170pF @ 15V
Potenza - Max2.1W, 2.5W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore8-DFN (2.9x2.3)

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Super Junction

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

66A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

510nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14600pF @ 25V

Potenza - Max

416W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP2

Pacchetto dispositivo fornitore

SP2

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Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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Tipo FET

4 N-Channel, Matched Pair

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.45A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 1.45A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

265pF @ 16V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

Micro8™

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel, Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.4A, 960mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.08W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

132mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10552pF @ 25V

Potenza - Max

390W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

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