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AON3611

AON3611

Solo per riferimento

Numero parte AON3611
PNEDA Part # AON3611
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $2,4763
250 ---------- $2,3602
500 ---------- $2,2441
1.000 ---------- $2,1281
2.500 ---------- $2,0313
5.000 ---------- $1,9346
Disponibile 59.104
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AON3611 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAON3611
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
AON3611, AON3611 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 446,09 KB)
PDFAON3611 Datasheet Copertura
AON3611 Datasheet Pagina 2 AON3611 Datasheet Pagina 3 AON3611 Datasheet Pagina 4 AON3611 Datasheet Pagina 5 AON3611 Datasheet Pagina 6 AON3611 Datasheet Pagina 7 AON3611 Datasheet Pagina 8 AON3611 Datasheet Pagina 9

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AON3611 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETN and P-Channel, Common Drain
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A, 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds170pF @ 15V
Potenza - Max2.1W, 2.5W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore8-DFN (2.9x2.3)

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

305mA, 190mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 25V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

132mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10552pF @ 25V

Potenza - Max

390W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 18.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 20V

Potenza - Max

46W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Microsemi Corporation

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Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

66A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

510nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14600pF @ 25V

Potenza - Max

416W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta), 7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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