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AON2801L

AON2801L

Solo per riferimento

Numero parte AON2801L
PNEDA Part # AON2801L
Descrizione MOSFET P-CH DUAL DFN
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.120
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AON2801L Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAON2801L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
AON2801L, AON2801L Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 297,64 KB)
PDFAON2801L Datasheet Copertura
AON2801L Datasheet Pagina 2 AON2801L Datasheet Pagina 3 AON2801L Datasheet Pagina 4 AON2801L Datasheet Pagina 5

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AON2801L Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds700pF @ 10V
Potenza - Max1.5W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore6-DFN (2x2)

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Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

32A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.6mOhm @ 20A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1255pF @ 15V

Potenza - Max

12W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerLDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-LSON (5x6)

BUK9K25-40EX

Nexperia

Produttore

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Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

701pF @ 25V

Potenza - Max

32W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-1205, 8-LFPAK56

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

35V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 20V

Potenza - Max

2.2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

45V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta), 3.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 10V, 1700pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Temperatura di esercizio

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