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AON2407

AON2407

Solo per riferimento

Numero parte AON2407
PNEDA Part # AON2407
Descrizione MOSFET P-CH 30V 6.3A 6DFN
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.514
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AON2407 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAON2407
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
AON2407, AON2407 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 260,42 KB)
PDFAON2407 Datasheet Copertura
AON2407 Datasheet Pagina 2 AON2407 Datasheet Pagina 3 AON2407 Datasheet Pagina 4 AON2407 Datasheet Pagina 5

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AON2407 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.3A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs37.5mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 10V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds746pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.8W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-DFN-EP (2x2)
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

55A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.65mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.95V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

705pF @ 12.5V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

45W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK33

Pacchetto / Custodia

SOT-1210, 8-LFPAK33

SI4412ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

R6047KNZ4C13

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

47A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

72mOhm @ 25.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4300pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

481W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

NTD80N02T4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

24V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

75W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRLMS4502TR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1820pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.7W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Micro6™(TSOP-6)

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Venduto di recente

TS922IDT

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STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

MBR0580-TP

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DIODE SCHOTTKY 80V 500MA SOD123

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Central Semiconductor Corp

TRANS 2NPN/2PNP 250V 0.5A

BLM18KG121TN1D

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Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

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CAP CER 47PF 2KV SL RADIAL

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CER RES 800.0000KHZ T/H

USB4604-1080HN

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IC USB HUB/FLASH CTLR 48QFN

LT1963AES8#TRPBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 1.5A 8SOIC

LAN8740AI-EN

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Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 32SQFN

RJH60D5BDPQ-E0#T2

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IGBT 600V 75A 200W TO-247

T520V337M2R5ATE025

T520V337M2R5ATE025

KEMET

CAP TANT POLY 330UF 2.5V 2917

SML-D12U8WT86

SML-D12U8WT86

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LED RED DIFFUSED 0603 SMD