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AOD417

AOD417

Solo per riferimento

Numero parte AOD417
PNEDA Part # AOD417
Descrizione MOSFET P-CH 30V 25A TO252
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
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Disponibile 583.122
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 1 - apr 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AOD417 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAOD417
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
AOD417, AOD417 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 138,69 KB)
PDFAOD417 Datasheet Copertura
AOD417 Datasheet Pagina 2 AOD417 Datasheet Pagina 3 AOD417 Datasheet Pagina 4 AOD417 Datasheet Pagina 5 AOD417 Datasheet Pagina 6

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AOD417 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C25A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.2nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds920pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252, (D-Pak)
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Ta), 40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5250pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PQFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

IRLI620G

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 2.4A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

980mA (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

340mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.89nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

530mW (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-75

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

TK40P04M1(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI-H

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1920pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

47W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DP

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

BUK768R1-40E,118

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1730pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

96W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

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