AO8810
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| Numero parte | AO8810 |
| PNEDA Part # | AO8810 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP |
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.826 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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AO8810 Risorse
| Brand | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AO8810 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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AO8810 Specifiche
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1295pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1.5W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1115pF @ 15V Potenza - Max 1.7W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-DFN-EP (2x5) |
Produttore STMicroelectronics Serie - Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore EPC Serie eGaN® Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23A Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 5.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 50V Potenza - Max - Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
Produttore Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair Funzione FET Depletion Mode Tensione Drain to Source (Vdss) 10.6V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 3.6V Vgs (th) (Max) @ Id 380mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A (Ta), 15.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 647pF @ 10V Potenza - Max 890mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
