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AO7600_001

AO7600_001

Solo per riferimento

Numero parte AO7600_001
PNEDA Part # AO7600_001
Descrizione MOSFET N/P-CH SC70-6
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.114
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Consegna stimata mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida)
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AO7600_001 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAO7600_001
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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AO7600_001 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETN and P-Channel Complementary
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C900mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds120pF @ 10V
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70-6 (SOT-363)

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

79mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

473pF @ 10V

Potenza - Max

2.3W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

33V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 480µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

490mOhm @ 910mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 10V

Potenza - Max

1.25W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2026pF @ 30V

Potenza - Max

2.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A, 28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1560pF @ 15V

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