AO4952
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| Numero parte | AO4952 |
| PNEDA Part # | AO4952 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.028 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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AO4952 Risorse
| Brand | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AO4952 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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AO4952 Specifiche
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | SRFET™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 605pF @ 15V |
| Potenza - Max | 2W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 630mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12.9pF @ 12V Potenza - Max 820mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore TSOT-26 |
Produttore Advanced Linear Devices Inc. Serie - Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250mA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V Potenza - Max 2.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.1nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3115pF @ 25V Potenza - Max 64W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-1205, 8-LFPAK56 Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56D |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 333A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 166.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1184nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 40800pF @ 25V Potenza - Max 1250W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
