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AO4614BL_103

AO4614BL_103

Solo per riferimento

Numero parte AO4614BL_103
PNEDA Part # AO4614BL_103
Descrizione MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.724
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AO4614BL_103 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAO4614BL_103
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
AO4614BL_103, AO4614BL_103 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 233,34 KB)
PDFAO4614BL_103 Datasheet Copertura
AO4614BL_103 Datasheet Pagina 2 AO4614BL_103 Datasheet Pagina 3 AO4614BL_103 Datasheet Pagina 4 AO4614BL_103 Datasheet Pagina 5 AO4614BL_103 Datasheet Pagina 6 AO4614BL_103 Datasheet Pagina 7

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  • AO4614BL_103 Distributor

AO4614BL_103 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A, 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds650pF @ 20V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3320pF @ 15V

Potenza - Max

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A, 2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.63Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 15V

Potenza - Max

960mW

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Diodes Incorporated

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2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta), 20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 15V, 1480pF @ 15V

Potenza - Max

2.2W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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