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AO4407B

AO4407B

Solo per riferimento

Numero parte AO4407B
PNEDA Part # AO4407B
Descrizione MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.628
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata feb 19 - feb 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AO4407B Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAO4407B
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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AO4407B Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 12A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36nC @ 10V
Vgs (massimo)±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2600pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.1W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / Custodia-

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AON6542

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Ta), 30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

951pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

4.1W (Ta), 25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerSMD, Flat Leads

IRF6892STR1PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

28A (Ta), 125A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2510pF @ 13V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DIRECTFET™ S3C

Pacchetto / Custodia

DirectFET™ Isometric S3C

2N7002-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

115mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

200mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

NTLJS3180PZTAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.5nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 16V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-WDFN (2x2)

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

TPH3208LDG

Transphorm

Produttore

Transphorm

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 13A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 300µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 8V

Vgs (massimo)

±18V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

96W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

3-PQFN (8x8)

Pacchetto / Custodia

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