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AO4407A_102

AO4407A_102

Solo per riferimento

Numero parte AO4407A_102
PNEDA Part # AO4407A_102
Descrizione MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.826
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AO4407A_102 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAO4407A_102
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
AO4407A_102, AO4407A_102 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 405,13 KB)
PDFAO4407A_102 Datasheet Copertura
AO4407A_102 Datasheet Pagina 2 AO4407A_102 Datasheet Pagina 3 AO4407A_102 Datasheet Pagina 4 AO4407A_102 Datasheet Pagina 5 AO4407A_102 Datasheet Pagina 6 AO4407A_102 Datasheet Pagina 7 AO4407A_102 Datasheet Pagina 8 AO4407A_102 Datasheet Pagina 9 AO4407A_102 Datasheet Pagina 10 AO4407A_102 Datasheet Pagina 11

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AO4407A_102 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)6V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 12A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39nC @ 10V
Vgs (massimo)±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2600pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.1W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13.6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.1mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1010pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FQI27N25TU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 12.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2450pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.13W (Ta), 180W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I2PAK (TO-262)

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

NTD18N06LT4

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 9A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 5V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

675pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 55W (Tj)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AUIRFS8407TRL

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

195A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7330pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

230W (Tc)

Temperatura di esercizio

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Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

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Vgs (massimo)

±20V

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-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.7W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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