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ALD114904APAL

ALD114904APAL

Solo per riferimento

Numero parte ALD114904APAL
PNEDA Part # ALD114904APAL
Descrizione MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Produttore Advanced Linear Devices Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.076
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ALD114904APAL Risorse

Brand Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteALD114904APAL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ALD114904APAL, ALD114904APAL Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 107,17 KB)
PDFALD114804APCL Datasheet Copertura
ALD114804APCL Datasheet Pagina 2 ALD114804APCL Datasheet Pagina 3 ALD114804APCL Datasheet Pagina 4 ALD114804APCL Datasheet Pagina 5 ALD114804APCL Datasheet Pagina 6 ALD114804APCL Datasheet Pagina 7 ALD114804APCL Datasheet Pagina 8 ALD114804APCL Datasheet Pagina 9 ALD114804APCL Datasheet Pagina 10 ALD114804APCL Datasheet Pagina 11

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ALD114904APAL Specifiche

ProduttoreAdvanced Linear Devices Inc.
SerieEPAD®
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Funzione FETDepletion Mode
Tensione Drain to Source (Vdss)10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs500Ohm @ 3.6V
Vgs (th) (Max) @ Id380mV @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Potenza - Max500mW
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore8-PDIP

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 2.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 25V

Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A, 41A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2375pF @ 13V

Potenza - Max

2.1W, 2.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 10V

Potenza - Max

4.8W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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Through Hole

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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