AIHD10N60RATMA1
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| Numero parte | AIHD10N60RATMA1 |
| PNEDA Part # | AIHD10N60RATMA1 |
| Descrizione | IC DISCRETE 600V TO252-3 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.654 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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AIHD10N60RATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AIHD10N60RATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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AIHD10N60RATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 20A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 30A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 10A |
| Potenza - Max | 150W |
| Switching Energy | 210µJ (on), 380µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 64nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 14ns/192ns |
| Condizione di test | 400V, 10A, 23Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3-313 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Potenza - Max 339W Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge 208nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) 730ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 |
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