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AIHD03N60RFATMA1

AIHD03N60RFATMA1

Solo per riferimento

Numero parte AIHD03N60RFATMA1
PNEDA Part # AIHD03N60RFATMA1
Descrizione IC DISCRETE 600V TO252-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.208
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 25 - dic 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AIHD03N60RFATMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAIHD03N60RFATMA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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AIHD03N60RFATMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)5A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)7.5A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 2.5A
Potenza - Max53.6W
Switching Energy50µJ (on), 40µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge17.1nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C10ns/128ns
Condizione di test400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3-313

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Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

Potenza - Max

521W

Switching Energy

742µJ (on), 427µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

203nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16ns/122ns

Condizione di test

600V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

430A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 20A

Potenza - Max

417W

Switching Energy

23mJ (on), 2.6mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

425nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

33ns/370ns

Condizione di test

1500V, 20A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

864ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

ISOPLUSi5-Pak™

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUSi5-Pak™

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Potenza - Max

400W

Switching Energy

550µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

140nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/190ns

Condizione di test

480V, 40A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 (IXGK)

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

240A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 120A

Potenza - Max

750W

Switching Energy

5.75mJ (on), 3.43mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

240nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

80ns/190ns

Condizione di test

400V, 120A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

130ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Gate Charge

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Condizione di test

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Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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