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ADP3118JCPZ-RL

ADP3118JCPZ-RL

Solo per riferimento

Numero parte ADP3118JCPZ-RL
PNEDA Part # ADP3118JCPZ-RL
Descrizione IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8LFCSP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.640
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ADP3118JCPZ-RL Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteADP3118JCPZ-RL
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
ADP3118JCPZ-RL, ADP3118JCPZ-RL Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 220,29 KB)
PDFADP3118JCPZ-RL Datasheet Copertura
ADP3118JCPZ-RL Datasheet Pagina 2 ADP3118JCPZ-RL Datasheet Pagina 3 ADP3118JCPZ-RL Datasheet Pagina 4 ADP3118JCPZ-RL Datasheet Pagina 5 ADP3118JCPZ-RL Datasheet Pagina 6 ADP3118JCPZ-RL Datasheet Pagina 7 ADP3118JCPZ-RL Datasheet Pagina 8 ADP3118JCPZ-RL Datasheet Pagina 9 ADP3118JCPZ-RL Datasheet Pagina 10 ADP3118JCPZ-RL Datasheet Pagina 11

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ADP3118JCPZ-RL Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.15V ~ 13.2V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 2V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)-
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)25V
Tempo di salita / discesa (tipico)25ns, 20ns
Temperatura di esercizio0°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VFDFN Exposed Pad, CSP
Pacchetto dispositivo fornitore8-LFCSP (3x3)

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ISL6612IBZ-TR5238

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10.8V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.25A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Tempo di salita / discesa (tipico)

26ns, 18ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MAX15024BATB+T

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

Automotive, AEC-Q100

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

6.5V ~ 28V

Tensione logica - VIL, VIH

2V, 4.25V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 8A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

24ns, 16ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-WFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

10-TDFN-EP (3x3)

IRS2308STRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

290mA, 600mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

100ns, 35ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

2EDN8524GXTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

EiceDriver™

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

1.1V, 1.98V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

5A, 5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

5.3ns, 4.5ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-WSON-8-1

IR2132PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

80ns, 35ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-PDIP

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