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A2G22S251-01SR3

A2G22S251-01SR3

Solo per riferimento

Numero parte A2G22S251-01SR3
PNEDA Part # A2G22S251-01SR3
Descrizione AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Produttore NXP
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Disponibile 3.276
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 4 - apr 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

A2G22S251-01SR3 Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteA2G22S251-01SR3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - RF
Datasheet
A2G22S251-01SR3, A2G22S251-01SR3 Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 291,4 KB)
PDFA2G22S251-01SR3 Datasheet Copertura
A2G22S251-01SR3 Datasheet Pagina 2 A2G22S251-01SR3 Datasheet Pagina 3 A2G22S251-01SR3 Datasheet Pagina 4 A2G22S251-01SR3 Datasheet Pagina 5 A2G22S251-01SR3 Datasheet Pagina 6 A2G22S251-01SR3 Datasheet Pagina 7 A2G22S251-01SR3 Datasheet Pagina 8 A2G22S251-01SR3 Datasheet Pagina 9 A2G22S251-01SR3 Datasheet Pagina 10 A2G22S251-01SR3 Datasheet Pagina 11

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A2G22S251-01SR3 Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorLDMOS
Frequenza1.805GHz ~ 2.2GHz
Guadagno17.7dB
Tensione - Test48V
Corrente nominale (Amp)-
Figura di rumore-
Corrente - Test200mA
Potenza - Uscita52dBm
Tensione - Nominale125V
Pacchetto / CustodiaNI-400S-2S
Pacchetto dispositivo fornitoreNI-400S-2S

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Serie

-

Tipo di transistor

HFET

Frequenza

2GHz

Guadagno

17.5dB

Tensione - Test

2V

Corrente nominale (Amp)

60mA

Figura di rumore

0.4dB

Corrente - Test

10mA

Potenza - Uscita

11dBm

Tensione - Nominale

4V

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

M04

CGH40010F

Cree/Wolfspeed

Produttore

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Tipo di transistor

HEMT

Frequenza

0Hz ~ 6GHz

Guadagno

14.5dB

Tensione - Test

28V

Corrente nominale (Amp)

3.5A

Figura di rumore

-

Corrente - Test

200mA

Potenza - Uscita

12.5W

Tensione - Nominale

84V

Pacchetto / Custodia

440166

Pacchetto dispositivo fornitore

440166

PTFA210601F V4 R250

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

LDMOS

Frequenza

2.14GHz

Guadagno

16dB

Tensione - Test

28V

Corrente nominale (Amp)

10µA

Figura di rumore

-

Corrente - Test

550mA

Potenza - Uscita

12W

Tensione - Nominale

65V

Pacchetto / Custodia

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Pacchetto dispositivo fornitore

H-37265-2

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

LDMOS (Dual)

Frequenza

225MHz

Guadagno

24dB

Tensione - Test

50V

Corrente nominale (Amp)

-

Figura di rumore

-

Corrente - Test

150mA

Potenza - Uscita

1000W

Tensione - Nominale

110V

Pacchetto / Custodia

NI-1230

Pacchetto dispositivo fornitore

NI-1230

PTFA211801F V4 R250

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

LDMOS

Frequenza

2.14GHz

Guadagno

15.5dB

Tensione - Test

28V

Corrente nominale (Amp)

10µA

Figura di rumore

-

Corrente - Test

1.2A

Potenza - Uscita

35W

Tensione - Nominale

65V

Pacchetto / Custodia

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Pacchetto dispositivo fornitore

H-37260-2

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