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71V67703S75BQGI

71V67703S75BQGI

Solo per riferimento

Numero parte 71V67703S75BQGI
PNEDA Part # 71V67703S75BQGI
Descrizione IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
Produttore IDT, Integrated Device Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.676
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

71V67703S75BQGI Risorse

Brand IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte71V67703S75BQGI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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71V67703S75BQGI Specifiche

ProduttoreIDT, Integrated Device Technology Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso7.5ns
Tensione - Alimentazione3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore165-CABGA (13x15)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

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Non-Volatile

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Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

512Gb (64G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

152-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

152-TBGA (14x18)

24C00T-E/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128b (16 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

100kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

4ms

Tempo di accesso

3500ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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8-SOIC

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

2Mb (128K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

AS4C32M16D1-5BCNTR

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Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

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MTFC64GAPALNA-AAT ES

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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