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5962F1120202QXA

5962F1120202QXA

Solo per riferimento

Numero parte 5962F1120202QXA
PNEDA Part # 5962F1120202QXA
Descrizione IC SRAM 72M PARALLEL 165CCGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.808
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

5962F1120202QXA Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte5962F1120202QXA
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
5962F1120202QXA, 5962F1120202QXA Datasheet (Totale pagine: 34, Dimensioni: 435,81 KB)
PDF5962F1120202QXA Datasheet Copertura
5962F1120202QXA Datasheet Pagina 2 5962F1120202QXA Datasheet Pagina 3 5962F1120202QXA Datasheet Pagina 4 5962F1120202QXA Datasheet Pagina 5 5962F1120202QXA Datasheet Pagina 6 5962F1120202QXA Datasheet Pagina 7 5962F1120202QXA Datasheet Pagina 8 5962F1120202QXA Datasheet Pagina 9 5962F1120202QXA Datasheet Pagina 10 5962F1120202QXA Datasheet Pagina 11

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5962F1120202QXA Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, QDR II+
Dimensione della memoria72Mb (2M x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia165-BFCCGA
Pacchetto dispositivo fornitore165-CCGA (21x25)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TFBGA (6x8)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (64K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Silicon Motion, Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

AT29LV256-15TI-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ms

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-TSOP

AT27C1024-15PC

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Dimensione della memoria

1Mb (64K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

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Through Hole

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