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5962F1120102QXA

5962F1120102QXA

Solo per riferimento

Numero parte 5962F1120102QXA
PNEDA Part # 5962F1120102QXA
Descrizione IC SRAM 72M PARALLEL 165CCGA
Produttore Cypress Semiconductor
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Disponibile 5.724
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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5962F1120102QXA Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte5962F1120102QXA
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
5962F1120102QXA, 5962F1120102QXA Datasheet (Totale pagine: 34, Dimensioni: 435,81 KB)
PDF5962F1120202QXA Datasheet Copertura
5962F1120202QXA Datasheet Pagina 2 5962F1120202QXA Datasheet Pagina 3 5962F1120202QXA Datasheet Pagina 4 5962F1120202QXA Datasheet Pagina 5 5962F1120202QXA Datasheet Pagina 6 5962F1120202QXA Datasheet Pagina 7 5962F1120202QXA Datasheet Pagina 8 5962F1120202QXA Datasheet Pagina 9 5962F1120202QXA Datasheet Pagina 10 5962F1120202QXA Datasheet Pagina 11

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5962F1120102QXA Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, QDR II+
Dimensione della memoria72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia165-BFCCGA
Pacchetto dispositivo fornitore165-CCGA (21x25)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

64Mb (2M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

86-TSOP II

RM25C64DS-LSNI-B

Adesto Technologies

Produttore

Adesto Technologies

Serie

Mavriq™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

CBRAM®

Tecnologia

CBRAM

Dimensione della memoria

64kb (32B Page Size)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100µs, 2.5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

80ns

Tempo di accesso

80ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-TFBGA (7x11)

IS42S16160D-7B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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S34ML01G100BHV000

SkyHigh Memory Limited

Produttore

SkyHigh Memory Limited

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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