3LP01C-TB-E
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| Numero parte | 3LP01C-TB-E |
| PNEDA Part # | 3LP01C-TB-E |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 100MA CP |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.610 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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3LP01C-TB-E Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 3LP01C-TB-E |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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3LP01C-TB-E Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4Ohm @ 50mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.43nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7.5pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-CP |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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