3LN01C-TB-E
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| Numero parte | 3LN01C-TB-E |
| PNEDA Part # | 3LN01C-TB-E |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.100 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 10 - apr 15 (Scegli Spedizione rapida) |
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3LN01C-TB-E Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 3LN01C-TB-E |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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3LN01C-TB-E Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 150mA (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7Ohm @ 80mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.58nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-CP |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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