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2SK715V-AC

2SK715V-AC

Solo per riferimento

Numero parte 2SK715V-AC
PNEDA Part # 2SK715V-AC
Descrizione JFET N-CH 50MA 300MW SPA
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $0,4849
500 ---------- $0,4621
1.000 ---------- $0,4394
2.500 ---------- $0,4167
5.000 ---------- $0,3977
10.000 ---------- $0,3788
Disponibile 31.559
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SK715V-AC Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SK715V-AC
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
2SK715V-AC, 2SK715V-AC Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 777,4 KB)
PDF2SK715W-AC Datasheet Copertura
2SK715W-AC Datasheet Pagina 2 2SK715W-AC Datasheet Pagina 3 2SK715W-AC Datasheet Pagina 4 2SK715W-AC Datasheet Pagina 5

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2SK715V-AC Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)-
Tensione Drain to Source (Vdss)15V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)10mA @ 5V
Corrente assorbita (Id) - Max50mA
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id600mV @ 100µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds10pF @ 5V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio125°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaSC-72
Pacchetto dispositivo fornitore3-SPA

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Serie

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

3V @ 3nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 0V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AC, TO-52-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-206AC (TO-52)

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

150mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

4V @ 3nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 0V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

30mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

5V @ 10µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-85

Pacchetto dispositivo fornitore

SMini3-F2-B

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

300mV @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Serie

-

Tipo FET

-

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

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