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2SK3943-ZP-E1-AY

2SK3943-ZP-E1-AY

Solo per riferimento

Numero parte 2SK3943-ZP-E1-AY
PNEDA Part # 2SK3943-ZP-E1-AY
Descrizione MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.996
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SK3943-ZP-E1-AY Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SK3943-ZP-E1-AY
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
2SK3943-ZP-E1-AY, 2SK3943-ZP-E1-AY Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 258,4 KB)
PDF2SK3943-ZP-E1-AY Datasheet Copertura
2SK3943-ZP-E1-AY Datasheet Pagina 2 2SK3943-ZP-E1-AY Datasheet Pagina 3 2SK3943-ZP-E1-AY Datasheet Pagina 4 2SK3943-ZP-E1-AY Datasheet Pagina 5 2SK3943-ZP-E1-AY Datasheet Pagina 6 2SK3943-ZP-E1-AY Datasheet Pagina 7 2SK3943-ZP-E1-AY Datasheet Pagina 8 2SK3943-ZP-E1-AY Datasheet Pagina 9 2SK3943-ZP-E1-AY Datasheet Pagina 10

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  • 2SK3943-ZP-E1-AY Distributor

2SK3943-ZP-E1-AY Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C82A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 41A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs93nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5800pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150W (Tc)

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

39W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Vishay Siliconix

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

345mOhm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.1nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta), 1.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.4mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

350mW (Ta)

Temperatura di esercizio

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