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2SK3707

2SK3707

Solo per riferimento

Numero parte 2SK3707
PNEDA Part # 2SK3707
Descrizione MOSFET N-CH 100V 20A TO-220ML
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.508
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 4 - dic 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SK3707 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SK3707
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
2SK3707, 2SK3707 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 255,9 KB)
PDF2SK3707-1E Datasheet Copertura
2SK3707-1E Datasheet Pagina 2 2SK3707-1E Datasheet Pagina 3 2SK3707-1E Datasheet Pagina 4 2SK3707-1E Datasheet Pagina 5 2SK3707-1E Datasheet Pagina 6 2SK3707-1E Datasheet Pagina 7

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2SK3707 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2150pF @ 20V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220ML
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

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Produttore

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

110W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RJK0454DPB-00#J5

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

55W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK

Pacchetto / Custodia

SC-100, SOT-669

FQD17P06TF

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 44W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SIB412DK-T1-E3

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 6.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.16nC @ 5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

535pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

51A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

880pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

38W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

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