2SK3372GSL
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| Numero parte | 2SK3372GSL |
| PNEDA Part # | 2SK3372GSL |
| Descrizione | JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 |
| Produttore | Panasonic Electronic Components |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.920 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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2SK3372GSL Risorse
| Brand | Panasonic Electronic Components |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2SK3372GSL |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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2SK3372GSL Specifiche
| Produttore | Panasonic Electronic Components |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 107µA @ 2V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | 2mA |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | 100mW |
| Temperatura di esercizio | -20°C ~ 80°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-723 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SSSMini3-F2 |
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Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 10V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On) 30 Ohms Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 (TO-236AB) |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.2mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 200mV @ 100nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 10V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 200mW Temperatura di esercizio 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Pacchetto dispositivo fornitore USV |
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