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2SK137400L

2SK137400L

Solo per riferimento

Numero parte 2SK137400L
PNEDA Part # 2SK137400L
Descrizione MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.838
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 30 - apr 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SK137400L Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SK137400L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
2SK137400L, 2SK137400L Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 147,64 KB)
PDF2SK1374G0L Datasheet Copertura
2SK1374G0L Datasheet Pagina 2 2SK1374G0L Datasheet Pagina 3

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2SK137400L Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C50mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs50Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4.5pF @ 5V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)150mW (Ta)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSMini3-G1
Pacchetto / CustodiaSC-70, SOT-323

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

708pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

NTLJS1102PTAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

720mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±6V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1585pF @ 4V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-WDFN (2x2)

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

AUIRFP4004

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

195A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7mOhm @ 195A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8920pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

380W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

FDMS8027S

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Ta), 22A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1815pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 36W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

74A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.3mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

80W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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