2SJ648-T1-A
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| Numero parte | 2SJ648-T1-A | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | 2SJ648-T1-A | ||||||||||||||||||
| Descrizione | TRANSISTOR | ||||||||||||||||||
| Produttore | Renesas Electronics America | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 2.783 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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2SJ648-T1-A Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2SJ648-T1-A |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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2SJ648-T1-A Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
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