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2SD20670RA

2SD20670RA

Solo per riferimento

Numero parte 2SD20670RA
PNEDA Part # 2SD20670RA
Descrizione TRANS NPN 100V 2A MT-2
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.286
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 20 - nov 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SD20670RA Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SD20670RA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2SD20670RA, 2SD20670RA Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 233,92 KB)
PDF2SD20670RA Datasheet Copertura
2SD20670RA Datasheet Pagina 2 2SD20670RA Datasheet Pagina 3

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2SD20670RA Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Tipo di transistorNPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)2A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)100V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 1mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce8000 @ 1A, 10V
Potenza - Max1W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia3-SIP
Pacchetto dispositivo fornitoreMT-2-A1

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2SD12670P

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 400mA, 4A

Corrente - Taglio collettore (Max)

700µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1A, 4V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

20MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F-A1

2SA1761,T6F(M

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 75mA, 1.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 2V

Potenza - Max

900mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92MOD

2SB1121T-TD-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 75mA, 1.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 2V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PCP

STN1802

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 150mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

Potenza - Max

1.6W

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.1V @ 300mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 4A, 2V

Potenza - Max

90W

Frequenza - Transizione

1.5MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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