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2SC5415AE-TD-E

2SC5415AE-TD-E

Solo per riferimento

Numero parte 2SC5415AE-TD-E
PNEDA Part # 2SC5415AE-TD-E
Descrizione RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.694
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Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SC5415AE-TD-E Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SC5415AE-TD-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
2SC5415AE-TD-E, 2SC5415AE-TD-E Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 289,92 KB)
PDF2SC5415AE-TD-E Datasheet Copertura
2SC5415AE-TD-E Datasheet Pagina 2 2SC5415AE-TD-E Datasheet Pagina 3 2SC5415AE-TD-E Datasheet Pagina 4 2SC5415AE-TD-E Datasheet Pagina 5 2SC5415AE-TD-E Datasheet Pagina 6 2SC5415AE-TD-E Datasheet Pagina 7 2SC5415AE-TD-E Datasheet Pagina 8

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2SC5415AE-TD-E Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione6.7GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
Guadagno9dB
Potenza - Max800mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce90 @ 30mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitorePCP

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

KSC2756OMTF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

850MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

6.5dB @ 200MHz

Guadagno

15dB ~ 23dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

CA3127MZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

5 NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 100MHz

Guadagno

27dB ~ 30dB

Potenza - Max

85mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

MS2272

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7.6dB

Potenza - Max

940W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

24A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M216

Pacchetto dispositivo fornitore

M216

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

300mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323-3

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