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2SC5347AF-TD-E

2SC5347AF-TD-E

Solo per riferimento

Numero parte 2SC5347AF-TD-E
PNEDA Part # 2SC5347AF-TD-E
Descrizione RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 7.668
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SC5347AF-TD-E Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SC5347AF-TD-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
2SC5347AF-TD-E, 2SC5347AF-TD-E Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 311,93 KB)
PDF2SC5347AF-TD-E Datasheet Copertura
2SC5347AF-TD-E Datasheet Pagina 2 2SC5347AF-TD-E Datasheet Pagina 3 2SC5347AF-TD-E Datasheet Pagina 4 2SC5347AF-TD-E Datasheet Pagina 5 2SC5347AF-TD-E Datasheet Pagina 6 2SC5347AF-TD-E Datasheet Pagina 7 2SC5347AF-TD-E Datasheet Pagina 8

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2SC5347AF-TD-E Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione4.7GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.8dB @ 1GHz
Guadagno8dB
Potenza - Max1.3W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce135 @ 50mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)150mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitorePCP

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BFR 181 E6780

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

18.5dB

Potenza - Max

175mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

JANTX2N2857UB

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

Guadagno

21dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

UB

MRF517

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9dB ~ 10dB

Potenza - Max

2.5W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 60mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39

55GN01FA-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

4.5GHz ~ 5.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.9dB @ 1GHz

Guadagno

11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-81

Pacchetto dispositivo fornitore

3-SSFP

66082B

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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