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2SAR523EBTL

2SAR523EBTL

Solo per riferimento

Numero parte 2SAR523EBTL
PNEDA Part # 2SAR523EBTL
Descrizione TRANS PNP 50V 0.1A EMT3F
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.356
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata feb 20 - feb 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SAR523EBTL Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SAR523EBTL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2SAR523EBTL, 2SAR523EBTL Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 2.053,01 KB)
PDF2SAR523UBTL Datasheet Copertura
2SAR523UBTL Datasheet Pagina 2 2SAR523UBTL Datasheet Pagina 3 2SAR523UBTL Datasheet Pagina 4 2SAR523UBTL Datasheet Pagina 5 2SAR523UBTL Datasheet Pagina 6 2SAR523UBTL Datasheet Pagina 7 2SAR523UBTL Datasheet Pagina 8 2SAR523UBTL Datasheet Pagina 9 2SAR523UBTL Datasheet Pagina 10 2SAR523UBTL Datasheet Pagina 11

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2SAR523EBTL Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
Potenza - Max150mW
Frequenza - Transizione300MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-89, SOT-490
Pacchetto dispositivo fornitoreEMT3F (SOT-416FL)

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

140V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 10V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

3-SMD

JANTX2N5582

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/423

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AB, TO-46-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-46-3

JANTX2N6212

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/461

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 125mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 1A, 5V

Potenza - Max

3W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-213AA, TO-66-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-66 (TO-213AA)

BC 846B B5003

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

330mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

BSP31,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

1.3W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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