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2SA1931,NETQ(M

2SA1931,NETQ(M

Solo per riferimento

Numero parte 2SA1931,NETQ(M
PNEDA Part # 2SA1931-NETQ-M
Descrizione TRANS PNP 5A 50V TO220-3
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.546
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
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2SA1931 Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SA1931,NETQ(M
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2SA1931, 2SA1931 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 145,74 KB)
PDF2SA1931 Datasheet Copertura
2SA1931 Datasheet Pagina 2 2SA1931 Datasheet Pagina 3 2SA1931 Datasheet Pagina 4

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2SA1931 Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)5A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic400mV @ 200mA, 2A
Corrente - Taglio collettore (Max)1µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1A, 1V
Potenza - Max2W
Frequenza - Transizione60MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220NIS

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

750mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB

BC 807-40 E6433

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

250 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

330mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

FZT690BTC

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

150 @ 2A, 2V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

2N4921G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 500mA, 1V

Potenza - Max

30W

Frequenza - Transizione

3MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-225AA, TO-126-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-225AA

MJD32C-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 3A, 4V

Potenza - Max

1.25W

Frequenza - Transizione

3MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

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