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2SA1873-Y(TE85L,F)

2SA1873-Y(TE85L,F)

Solo per riferimento

Numero parte 2SA1873-Y(TE85L,F)
PNEDA Part # 2SA1873-Y-TE85L-F
Descrizione TRANS 2PNP 50V 0.15A USV
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.726
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SA1873-Y(TE85L Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SA1873-Y(TE85L,F)
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array

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2SA1873-Y(TE85L Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistor2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Corrente - Collettore (Ic) (Max)150mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 2mA, 6V
Potenza - Max200mW
Frequenza - Transizione80MHz
Temperatura di esercizio125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Pacchetto dispositivo fornitoreUSV

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TT Electronics/Optek Technology

Produttore

TT Electronics/Optek Technology

Serie

-

Tipo di transistor

4 NPN (Quad)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

20-CLCC

Pacchetto dispositivo fornitore

20-CLCC

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Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

4 NPN (Quad)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

20nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

3W

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-116

LBN150B01-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

360mV @ 20mA, 200mA / 500mV @ 20mA, 200mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 100mA, 1V / 32 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-26

SG2003J

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

7 NPN Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

16-CDIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-CDIP

NSVT3946DP6T5G

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V / 100 @ 10mA, 1V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

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Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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