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2SA1020-Y(T6TR1,AF

2SA1020-Y(T6TR1,AF

Solo per riferimento

Numero parte 2SA1020-Y(T6TR1,AF
PNEDA Part # 2SA1020-Y-T6TR1-AF
Descrizione TRANS PNP 2A 50V TO226-3
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.436
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SA1020-Y(T6TR1 Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SA1020-Y(T6TR1,AF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2SA1020-Y(T6TR1, 2SA1020-Y(T6TR1 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 168,44 KB)
PDF2SA1020-Y Datasheet Copertura
2SA1020-Y Datasheet Pagina 2 2SA1020-Y Datasheet Pagina 3 2SA1020-Y Datasheet Pagina 4 2SA1020-Y Datasheet Pagina 5

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2SA1020-Y(T6TR1 Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)2A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (Max)1µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 500mA, 2V
Potenza - Max900mW
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92MOD

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Produttore

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Serie

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Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

450mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

400nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

360mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

3-SMD

JAN2N5238

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/394

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

170V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 1A, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 5A, 5V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-5

2SC2712-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

Potenza - Max

150mW

Frequenza - Transizione

80MHz

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

S-Mini

KSD73YTSTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2V @ 500mA, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1A, 10V

Potenza - Max

30W

Frequenza - Transizione

20MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo di transistor

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 600mA, 6A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

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