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2N7002DWQ-7-F

2N7002DWQ-7-F

Solo per riferimento

Numero parte 2N7002DWQ-7-F
PNEDA Part # 2N7002DWQ-7-F
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 1.879.626
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N7002DWQ-7-F Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N7002DWQ-7-F
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
2N7002DWQ-7-F, 2N7002DWQ-7-F Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 397,04 KB)
PDF2N7002DW-7 Datasheet Copertura
2N7002DW-7 Datasheet Pagina 2 2N7002DW-7 Datasheet Pagina 3 2N7002DW-7 Datasheet Pagina 4 2N7002DW-7 Datasheet Pagina 5

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2N7002DWQ-7-F Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C230mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Potenza - Max310mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 25V

Potenza - Max

34W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8 Dual

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

355pF @ 20V

Potenza - Max

2.75W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

350mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

32pF @ 30V

Potenza - Max

320mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.7A (Ta), 36A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 25V

Potenza - Max

3.1W (Ta), 28W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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