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2N6675

2N6675

Solo per riferimento

Numero parte 2N6675
PNEDA Part # 2N6675
Descrizione PNP TRANSISTOR
Produttore Microsemi
Prezzo unitario
1 ---------- $1.690,1043
50 ---------- $1.610,8807
100 ---------- $1.531,6570
200 ---------- $1.452,4334
400 ---------- $1.386,4137
500 ---------- $1.320,3940
Disponibile 92
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N6675 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N6675
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo

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2N6675 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie*
Tipo di transistor-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Potenza - Max-
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 400mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

150 @ 400mA, 2V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

130MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

MJF45H11

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 8A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1μA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 4A, 1V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

40MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FP

2SA1943OTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

17A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

250V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

3V @ 800mA, 8A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 1A, 5V

Potenza - Max

150W

Frequenza - Transizione

30MHz

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264-3

NJL4281DG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN + Diode (Isolated)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

350V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 800mA, 8A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5A, 5V

Potenza - Max

230W

Frequenza - Transizione

35MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-5

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

160V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 200mA, 5V

Potenza - Max

900mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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