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2N6035G

2N6035G

Solo per riferimento

Numero parte 2N6035G
PNEDA Part # 2N6035G
Descrizione TRANS PNP DARL 60V 4A TO-225AA
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.836
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N6035G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N6035G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2N6035G, 2N6035G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 201,43 KB)
PDF2N6036 Datasheet Copertura
2N6036 Datasheet Pagina 2 2N6036 Datasheet Pagina 3 2N6036 Datasheet Pagina 4 2N6036 Datasheet Pagina 5 2N6036 Datasheet Pagina 6 2N6036 Datasheet Pagina 7

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2N6035G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)4A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic3V @ 40mA, 4A
Corrente - Taglio collettore (Max)100µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce750 @ 2A, 3V
Potenza - Max40W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-225AA, TO-126-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-225AA

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

7A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 500mA, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 3A, 1V

Potenza - Max

1.5W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

DCX52-16-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89-3

MJ11016

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

4V @ 300mA, 30A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 20A, 5V

Potenza - Max

200W

Frequenza - Transizione

4MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-204AA, TO-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-204 (TO-3)

JAN2N6353

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/472

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

150V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 10mA, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 5V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-213AA, TO-66-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-66 (TO-213AA)

KSA1378YBU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 30mA, 300mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100mA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 50mA, 1V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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